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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SZBZX84C12LT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SZBZX84C12LT3G价格参考。ON SemiconductorSZBZX84C12LT3G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 12V 250mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SZBZX84C12LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SZBZX84C12LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SZBZX84C12LT3G是一款单齐纳二极管,其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 齐纳二极管的主要功能之一是提供稳定的参考电压。SZBZX84C12LT3G的齐纳电压为12V,适用于需要精确电压稳压的电路。例如,在电源电路中,它可以用于稳定输出电压,确保负载端的电压波动在允许范围内。这种特性使得它广泛应用于各种电子设备中的电源管理模块。 2. 过压保护 在许多电路中,尤其是敏感的模拟或数字电路中,过压可能会损坏关键组件。SZBZX84C12LT3G可以作为过压保护器件,当输入电压超过设定的齐纳电压时,二极管会导通并分流多余的能量,从而保护后级电路免受高电压冲击。这在通信设备、传感器接口等场景中尤为重要。 3. 信号电平转换 在某些情况下,信号电平需要从一个电压范围转换到另一个电压范围。例如,将TTL电平转换为CMOS电平,或者在不同电源电压的系统之间进行信号传递时,齐纳二极管可以用作电压钳位器件,确保信号电平符合接收端的要求。 4. 温度补偿 齐纳二极管的齐纳电压会随温度变化而略有漂移。对于一些对温度敏感的应用,如精密测量仪器或温度控制系统,可以通过选择具有合适温度系数的齐纳二极管(如SZBZX84C12LT3G)来实现温度补偿,保持系统的稳定性。 5. 浪涌抑制 在电力系统或工业控制设备中,瞬态电压浪涌是一个常见的问题。SZBZX84C12LT3G可以用于抑制这些瞬态电压,防止它们对敏感元件造成损害。特别是在雷击或其他电磁干扰源附近工作的设备中,齐纳二极管能够有效地吸收和耗散瞬态能量。 总之,ON Semiconductor的SZBZX84C12LT3G齐纳二极管凭借其稳定的性能和广泛的适用性,成为众多电子设计中的重要元件,尤其适合需要精确电压控制、过压保护和信号处理的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 12V 225MW SOT23-3稳压二极管 ZEN REG.225W |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor SZBZX84C12LT3G- |
数据手册 | |
产品型号 | SZBZX84C12LT3G |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 225 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 10000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 25 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 10,000 |
正向电压下降 | 0.9 V at 10 mA |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 12V |
电压温度系数 | 6 mV/K |
系列 | BZX84C12L |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 25 欧姆 |
齐纳电压 | 12 V |
齐纳电流 | 5 mA |