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  • 型号: SZBZX84C12LT3G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SZBZX84C12LT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SZBZX84C12LT3G价格参考。ON SemiconductorSZBZX84C12LT3G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 12V 250mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SZBZX84C12LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SZBZX84C12LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的SZBZX84C12LT3G是一款单齐纳二极管,其主要应用场景如下:

 1. 电压稳压
   齐纳二极管的主要功能之一是提供稳定的参考电压。SZBZX84C12LT3G的齐纳电压为12V,适用于需要精确电压稳压的电路。例如,在电源电路中,它可以用于稳定输出电压,确保负载端的电压波动在允许范围内。这种特性使得它广泛应用于各种电子设备中的电源管理模块。

 2. 过压保护
   在许多电路中,尤其是敏感的模拟或数字电路中,过压可能会损坏关键组件。SZBZX84C12LT3G可以作为过压保护器件,当输入电压超过设定的齐纳电压时,二极管会导通并分流多余的能量,从而保护后级电路免受高电压冲击。这在通信设备、传感器接口等场景中尤为重要。

 3. 信号电平转换
   在某些情况下,信号电平需要从一个电压范围转换到另一个电压范围。例如,将TTL电平转换为CMOS电平,或者在不同电源电压的系统之间进行信号传递时,齐纳二极管可以用作电压钳位器件,确保信号电平符合接收端的要求。

 4. 温度补偿
   齐纳二极管的齐纳电压会随温度变化而略有漂移。对于一些对温度敏感的应用,如精密测量仪器或温度控制系统,可以通过选择具有合适温度系数的齐纳二极管(如SZBZX84C12LT3G)来实现温度补偿,保持系统的稳定性。

 5. 浪涌抑制
   在电力系统或工业控制设备中,瞬态电压浪涌是一个常见的问题。SZBZX84C12LT3G可以用于抑制这些瞬态电压,防止它们对敏感元件造成损害。特别是在雷击或其他电磁干扰源附近工作的设备中,齐纳二极管能够有效地吸收和耗散瞬态能量。

总之,ON Semiconductor的SZBZX84C12LT3G齐纳二极管凭借其稳定的性能和广泛的适用性,成为众多电子设计中的重要元件,尤其适合需要精确电压控制、过压保护和信号处理的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 12V 225MW SOT23-3稳压二极管 ZEN REG.225W

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor SZBZX84C12LT3G-

数据手册

产品型号

SZBZX84C12LT3G

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 8V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

功率-最大值

225mW

功率耗散

225 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工作温度

-55°C ~ 150°C

工厂包装数量

10000

最大反向漏泄电流

100 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

25 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

10,000

正向电压下降

0.9 V at 10 mA

电压-齐纳(标称值)(Vz)

12V

电压温度系数

6 mV/K

系列

BZX84C12L

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

25 欧姆

齐纳电压

12 V

齐纳电流

5 mA

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