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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SZBZX84B6V8LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SZBZX84B6V8LT1G价格参考。ON SemiconductorSZBZX84B6V8LT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 6.8V 225mW ±2% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SZBZX84B6V8LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SZBZX84B6V8LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SZBZX84B6V8LT1G是一款单个齐纳二极管,广泛应用于各种电子设备中。这款齐纳二极管的主要应用场景包括: 1. 电压稳压 齐纳二极管的核心功能是提供稳定的参考电压。在电源电路中,SZBZX84B6V8LT1G可以用于稳压电路,确保输出电压保持在一个恒定水平。例如,在线性稳压器或开关电源中,它可以帮助维持输出电压的稳定性,防止因输入电压波动或负载变化而导致的电压不稳定。 2. 过压保护 在许多电路中,过高的电压可能会损坏敏感元件。SZBZX84B6V8LT1G可以在电路中充当过压保护器件。当输入电压超过设定值时,齐纳二极管会导通,将多余的电压泄放到地,从而保护后续电路免受过压损害。这种应用常见于传感器、通信接口和微控制器等对电压敏感的设备中。 3. 信号电平转换 在数字和模拟电路之间进行信号传输时,可能需要进行电平转换。齐纳二极管可以用于将高电平信号钳位到合适的电压范围,确保信号在不同电压标准之间安全传输。例如,在RS-232通信接口中,齐纳二极管可以用于将信号电平从±12V转换为TTL电平(0-5V),以适应微控制器的输入要求。 4. 温度补偿 齐纳二极管的反向击穿电压随温度变化而略有不同。通过合理选择齐纳二极管的参数,可以在某些精密电路中实现温度补偿功能。例如,在温度传感器或精密测量电路中,SZBZX84B6V8LT1G可以与其他元件配合,抵消温度变化对电路性能的影响,确保测量结果的准确性。 5. 浪涌抑制 在电力系统或工业控制设备中,瞬态电压浪涌可能会对电路造成破坏。齐纳二极管可以用于吸收这些瞬态浪涌能量,保护电路中的其他元件。虽然专门的浪涌抑制器(如TVS二极管)更为常用,但在某些低功率或低成本的应用中,齐纳二极管也能起到类似的作用。 总之,ON Semiconductor的SZBZX84B6V8LT1G齐纳二极管凭借其稳定的反向击穿电压特性,广泛应用于电压稳压、过压保护、信号电平转换、温度补偿和浪涌抑制等场景中,为各类电子设备提供了可靠的性能保障。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 6.8V 225MW SOT23-3 |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SZBZX84B6V8LT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 4V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
容差 | ±2% |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |