ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > SXTA42TA
Datasheet下载- 型号： SXTA42TA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SXTA42TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SXTA42TA价格参考。Diodes Inc.SXTA42TA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 300V 500mA 50MHz 1W 表面贴装 SOT-89-3。您可以下载SXTA42TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SXTA42TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的SXTA42TA是一款单个双极晶体管（BJT），其应用场景非常广泛，特别是在需要高效、可靠和低功耗的电路设计中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 SXTA42TA常用于各种电源管理电路中，如线性稳压器、开关电源控制器等。它能够提供稳定的电流输出，确保电源系统的稳定性和可靠性。此外，该晶体管的低饱和电压特性使其在电源转换应用中表现出色，减少了能量损耗。 2. 信号放大 在音频设备和其他模拟信号处理系统中，SXTA42TA可以用作信号放大器。它具有较高的增益带宽积，能够在较宽的频率范围内提供良好的放大性能，适用于音频放大器、无线通信设备中的射频前端等场景。 3. 电机驱动 对于小型直流电机或步进电机的驱动控制，SXTA42TA可以作为开关元件使用。它的高电流承载能力和快速开关速度使得它能够有效地控制电机的启动、停止和转速调节，同时保持较低的发热水平。 4. 保护电路 在许多电子设备中，SXTA42TA可以用作过流保护或短路保护的关键组件。通过监测电流的变化，当检测到异常时，它可以迅速切断电路，防止进一步损坏其他敏感元件。 5. 逻辑电平转换 在不同的数字电路之间进行电平转换时，SXTA42TA可以作为一个高效的缓冲器或电平移位器。它能够将低电压信号转换为更高的电压信号，以适应不同接口标准的要求。 6. 温度传感器 由于SXTA42TA的工作特性会随温度变化而有所改变，因此它可以被用作简单的温度传感元件。通过测量其基极-发射极电压（Vbe）的变化，可以推算出环境温度，适用于一些低成本的温度监测应用。 总之，SXTA42TA凭借其出色的电气性能和可靠性，在众多领域都有广泛的应用，尤其是在对成本敏感且要求高性能的消费电子产品和工业控制系统中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN HV 300V SOT89两极晶体管 - BJT NPN High Voltage |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated SXTA42TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SXTA42TA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 2mA，20mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 30mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | SXCT-ND42CT-ND |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 25 at 1 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 40 at 30 mA at 10 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 300 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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