ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > SUP85N10-10-E3
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUP85N10-10-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUP85N10-10-E3价格参考。VishaySUP85N10-10-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220AB。您可以下载SUP85N10-10-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUP85N10-10-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 85A TO220ABMOSFET 100V 85A 250W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 85 A |
Id-连续漏极电流 | 85 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUP85N10-10-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SUP85N10-10-E3SUP85N10-10-E3 |
Pd-PowerDissipation | 250 W |
Pd-功率耗散 | 250 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 90 ns |
下降时间 | 130 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6550pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10.5 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | SUP85N10-10-E3CT |
典型关闭延迟时间 | 55 ns |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 85A (Tc) |
系列 | SUx85Nxx |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |