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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 85A TO220ABMOSFET 30V 85A 166W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 85 A |
Id-连续漏极电流 | 85 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUP85N03-04P-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SUP85N03-04P-E3SUP85N03-04P-E3 |
Pd-PowerDissipation | 166 W |
Pd-功率耗散 | 166 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 22 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.3 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 4.3 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
正向跨导-最小值 | 30 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 85 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 85A (Tc) |
系列 | SUx85Nxx |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |