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  • 型号: SUP60N06-12P-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SUP60N06-12P-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUP60N06-12P-E3价格参考。VishaySUP60N06-12P-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SUP60N06-12P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUP60N06-12P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 60A TO220ABMOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

60 A

Id-连续漏极电流

60 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUP60N06-12P-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SUP60N06-12P-E3SUP60N06-12P-E3

Pd-PowerDissipation

3.25 W

Pd-功率耗散

3.25 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

12 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

12 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

11 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1970pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

55nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

SUP60N0612PE3

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

3.25W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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