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  • 型号: SUM90N04-3M3P-E3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SUM90N04-3M3P-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM90N04-3M3P-E3价格参考。VishaySUM90N04-3M3P-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SUM90N04-3M3P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUM90N04-3M3P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

Ciss-输入电容

5.286 nF

描述

MOSFET N-CH 40V 90A D2PAKMOSFET 40 Volts 90 Amps 125 Watts

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

90 A

Id-连续漏极电流

90 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM90N04-3M3P-E3TrenchFET®

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产品型号

SUM90N04-3M3P-E3SUM90N04-3M3P-E3

Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

Qg-GateCharge

87 nC

Qg-栅极电荷

87 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.5 V

上升时间

7 ns

下降时间

7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5286pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

131nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.3 毫欧 @ 22A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

3.1W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2.7 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-3

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

正向跨导-最小值

169 S

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

90 A

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

90A (Tc)

系列

SUM

配置

Single

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