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  • 型号: SUM45N25-58-E3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SUM45N25-58-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM45N25-58-E3价格参考。VishaySUM45N25-58-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SUM45N25-58-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUM45N25-58-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 250V 45A D2PAKMOSFET 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

45 A

Id-连续漏极电流

45 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM45N25-58-E3TrenchFET®

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产品型号

SUM45N25-58-E3SUM45N25-58-E3

Pd-PowerDissipation

3.75 W

Pd-功率耗散

3.75 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

58 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

58 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

250 V

Vds-漏源极击穿电压

250 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

220 ns

下降时间

145 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

140nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

58 毫欧 @ 20A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263(D2Pak)

其它名称

SUM45N25-58-E3DKR

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

3.75W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

45A (Tc)

系列

SUM

通道模式

Enhancement

配置

Single

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