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  • 型号: SUM110P04-05-E3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SUM110P04-05-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM110P04-05-E3价格参考。VishaySUM110P04-05-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 40V 110A(Tc) 15W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)。您可以下载SUM110P04-05-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUM110P04-05-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 40V 110A D2PAKMOSFET 40V 110A 375W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

39 A

Id-连续漏极电流

39 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM110P04-05-E3TrenchFET®

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产品型号

SUM110P04-05-E3SUM110P04-05-E3

Pd-PowerDissipation

15 W

Pd-功率耗散

15 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 40 V

Vds-漏源极击穿电压

- 40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

290 ns

下降时间

35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

11300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

280nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 毫欧 @ 20A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263(D2Pak)

其它名称

SUM110P04-05-E3-ND
SUM110P04-05-E3TR
SUM110P0405E3

典型关闭延迟时间

110 ns

功率-最大值

375W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

110A (Tc)

系列

SUM

通道模式

Enhancement

配置

Single

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