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Datasheet下载- 型号： SUM110N10-09-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUM110N10-09-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM110N10-09-E3价格参考。VishaySUM110N10-09-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）。您可以下载SUM110N10-09-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUM110N10-09-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SUM110N10-09-E3 是一款用于电力电子领域的功率半导体器件，具体属于碳化硅（SiC）肖特基二极管系列。它具有高耐压、低损耗和快速开关特性，适用于高频、高效能的电源转换系统。以下是该元器件的主要应用场景： 1. 光伏逆变器 SUM110N10-09-E3 可以用于光伏逆变器中的DC-AC转换电路。由于其高效的开关性能和低反向恢复损耗，能够显著提高逆变器的效率，尤其是在高频工作条件下，减少了能量损失，延长了系统的使用寿命。 2. 不间断电源（UPS） 在UPS系统中，SUM110N10-09-E3 能够在电池充电和放电过程中提供稳定的电流传输，确保电源切换时的平稳过渡。其快速的开关速度有助于减少瞬态电压波动，提升系统的可靠性和响应速度。 3. 电动汽车充电站 该器件广泛应用于电动汽车充电桩的电源管理系统中。SUM110N10-09-E3 的高耐压特性和低导通电阻使其能够在高压直流充电系统中表现出色，支持更快的充电速度并减少发热，提高充电效率。 4. 工业电源 在工业自动化设备中，如伺服驱动器、PLC控制器等，SUM110N10-09-E3 可用于电源模块的设计。其优异的热稳定性和抗干扰能力使得它能够在恶劣的工业环境中保持高性能运行，确保系统的稳定性和安全性。 5. LED驱动电源 LED照明系统对电源的要求较高，特别是对于大功率LED灯而言。SUM110N10-09-E3 可以用于LED驱动电源中的整流和滤波电路，确保电流的稳定输出，同时降低能耗，延长LED灯具的使用寿命。 6. 通信基站电源 在通信基站的电源模块中，SUM110N10-09-E3 可以用于DC-DC转换电路，提供高效且稳定的电源供应。其低损耗特性有助于减少基站的功耗，降低运营成本。 综上所述，SUM110N10-09-E3 以其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效能电源转换和管理的领域，特别是在高频、高压和大功率的应用场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAKMOSFET 100V 110A 375W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM110N10-09-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUM110N10-09-E3SUM110N10-09-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
| Pd-功率耗散 | 3.75 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 125 ns |
| 下降时间 | 130 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | SUM110N10-09-E3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 110A （Tc） |
| 系列 | SUM |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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