ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SUM110N04-2M1P-E3
Datasheet下载- 型号： SUM110N04-2M1P-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUM110N04-2M1P-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM110N04-2M1P-E3价格参考。VishaySUM110N04-2M1P-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 29A（Ta），110A（Tc） 3.13W（Ta），312W（Tc） TO-263（D2Pak）。您可以下载SUM110N04-2M1P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUM110N04-2M1P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SUM110N04-2M1P-E3是一款单通道增强型N沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。该器件具有以下特点： 1. 低导通电阻：其最大导通电阻Rds(on)在Vgs=10V时为1.1mΩ，这使得它非常适合用于大电流应用，如电机驱动、电源管理、DC-DC转换器等，能够有效减少功率损耗，提高效率。 2. 高耐压能力：额定漏源极电压Vds为40V，适用于工作电压较高的应用场景，如汽车电子系统中的负载切换或工业控制设备中的电源开关。 3. 快速开关速度：由于其较低的栅极电荷Qg（典型值为16nC），该MOSFET能够在高频条件下实现快速开关，适合用于开关电源、逆变器以及其他需要高频操作的电力电子设备。 4. 封装形式：采用TO-252(DPAK)封装，这种封装具备良好的散热性能，便于安装和焊接，广泛应用于PCB板上空间有限的设计。 5. 保护特性：内置ESD（静电放电）保护功能，增强了器件在制造、运输及使用过程中的抗静电能力，提高了产品的可靠性。 具体应用场景包括但不限于： - 消费电子产品：如笔记本电脑适配器、智能手机充电器等便携式设备中的电源转换模块。 - 工业自动化：例如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器内的信号隔离与功率传输部分。 - 汽车电子：车身控制系统（BCM）、电动助力转向(EPS)、电池管理系统(BMS)等领域，负责执行各种电气任务的同时确保安全性和稳定性。 - 通信基础设施：基站电源、服务器机架供电单元等对可靠性和效率要求极高的场合。 总之，SUM110N04-2M1P-E3凭借其优异的电气参数和物理特性，在众多领域内都能发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 18.8 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 29A D2PAKMOSFET 40V 110A 312W 2.1mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM110N04-2M1P-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUM110N04-2M1P-E3SUM110N04-2M1P-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| Qg-栅极电荷 | 240 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 62 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 18800pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 360nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.1 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 典型关闭延迟时间 | 180 ns |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Ta）， 110A （Tc） |
| 系列 | SUM |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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