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  • 型号: SUD50P10-43L-E3
  • 制造商: Vishay
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SUD50P10-43L-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SUD50P10-43L-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD50P10-43L-E3价格参考。VishaySUD50P10-43L-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 100V 37.1A(Tc) 8.3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)。您可以下载SUD50P10-43L-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUD50P10-43L-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SUD50P10-43L-E3是一款N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力。它适用于多种电力电子应用场景,特别是在需要高效能、低损耗的开关操作中表现出色。

 主要应用场景:

1. 电源管理:
   - DC-DC转换器:用于降压或升压转换器中的开关元件,提供高效的电压调节。
   - 开关电源(SMPS):作为主开关管,实现高效的能量转换,减少发热和能耗。
   - 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,确保电池的安全和高效运行。

2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机(BLDC)驱动:用于电机控制器中的功率级,实现高效的电机驱动和调速。
   - 步进电机驱动:在步进电机控制系统中,提供精确的电流控制和快速响应。

3. 工业自动化:
   - 可编程逻辑控制器(PLC):用于控制各种工业设备的开关动作,确保系统的稳定性和可靠性。
   - 伺服系统:在精密定位和运动控制系统中,提供高效的功率输出和快速响应。

4. 消费电子产品:
   - 笔记本电脑适配器:用于电源适配器中的功率级,提供高效的电源转换。
   - 智能手机和平板电脑充电器:作为充电电路中的关键元件,确保快速充电的安全性和效率。

5. 汽车电子:
   - 车载充电系统(OBC):用于电动汽车的车载充电器中,实现高效的交流到直流转换。
   - 电动助力转向(EPS):用于汽车电动助力转向系统的电机驱动,提供稳定的动力输出。

6. 通信设备:
   - 基站电源:在通信基站的电源模块中,作为功率开关,确保系统的稳定供电。
   - 服务器电源:用于数据中心服务器的电源模块,提供高效的电源管理和散热性能。

 特点与优势:
- 低导通电阻:减少了传导损耗,提高了整体效率。
- 高电流处理能力:能够承受较大的电流,适用于高功率应用。
- 快速开关速度:减少了开关损耗,提升了系统的动态响应。
- 紧凑封装:节省空间,便于小型化设计。

综上所述,Vishay Siliconix的SUD50P10-43L-E3广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效能、低损耗的开关操作场合中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252MOSFET 100V 37A 136W 43mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

37 A

Id-连续漏极电流

37 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD50P10-43L-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SUD50P10-43L-E3SUD50P10-43L-E3

Pd-PowerDissipation

136 W

Pd-功率耗散

136 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

43 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

43 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

160 ns

下降时间

100 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4600pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

160nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

43 毫欧 @ 9.2A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252,(D-Pak)

其它名称

SUD50P10-43L-E3DKR

典型关闭延迟时间

100 ns

功率-最大值

136W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

37.1A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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