【晶体管 - FET，MOSFET - 单_SUD50P08-25L-E3】封装/厂家_SUD50P08-25L-E3中文资料_价格

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型号： SUD50P08-25L-E3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SUD50P08-25L-E3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SUD50P08-25L-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD50P08-25L-E3价格参考。VishaySUD50P08-25L-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 80V 50A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)。您可以下载SUD50P08-25L-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD50P08-25L-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 80V 50A DPAKMOSFET 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	12.5 A
Id-连续漏极电流	12.5 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD50P08-25L-E3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SUD50P08-25L-E3SUD50P08-25L-E3
Pd-PowerDissipation	8.3 W
Pd-功率耗散	8.3 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	25.2 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	25.2 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 80 V
Vds-漏源极击穿电压	- 80 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	220 ns, 25 ns
下降时间	110 ns, 100 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4700pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	160nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	25.2 毫欧 @ 12.5A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-252，（D-Pak）
其它名称	SUD50P08-25L-E3DKR
典型关闭延迟时间	95 ns, 105 ns
功率-最大值	136W
包装	Digi-Reel®
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	80V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	50A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single

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