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型号： SUD50P04-23-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SUD50P04-23-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD50P04-23-GE3价格参考。VishaySUD50P04-23-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 40V 8.2A（Ta），20A（Tc） 3.1W（Ta），45.4W（Tc） TO-252，（D-Pak）。您可以下载SUD50P04-23-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD50P04-23-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SUD50P04-23-GE3是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能，适用于多种应用场景。

 1. 电源管理
SUD50P04-23-GE3常用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源管理系统中。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高效率。此外，该器件的快速开关特性使得它在高频开关电源中表现出色，能够有效降低开关损耗，提升整体能效。

 2. 电机驱动
在电机驱动应用中，SUD50P04-23-GE3可以作为功率级开关，用于控制电机的启动、停止和调速。其低导通电阻和高电流承载能力使其能够承受较大的负载电流，同时保持较低的温升，确保系统的稳定性和可靠性。

 3. 电池管理系统（BMS）
在电池管理系统中，SUD50P04-23-GE3可以用作充电和放电路径的开关，控制电池与外部电路之间的能量流动。其低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命，并提高整个系统的效率。

 4. 消费电子产品
该MOSFET也广泛应用于消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等的充电电路和电源管理模块。其紧凑的封装形式（TO-263-3, D2PAK）使得它适合于空间有限的设计，同时具备良好的散热性能。

 5. 工业自动化
在工业自动化领域，SUD50P04-23-GE3可用于驱动电磁阀、继电器等执行机构，或作为信号隔离和保护电路中的开关元件。其坚固的结构和优异的电气性能确保了在恶劣环境下的可靠运行。

 6. 汽车电子
尽管SUD50P04-23-GE3并非专门针对汽车应用设计，但在某些非关键性车载电子系统中，如车灯控制、风扇驱动等，它也可以作为一种经济高效的解决方案。

总的来说，SUD50P04-23-GE3凭借其出色的电气性能和广泛的适用性，成为许多电力电子应用中的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SUD50P04-23-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1880pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	65nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	23 毫欧 @ 15A，10V
供应商器件封装	TO-252，（D-Pak）
功率-最大值	3.1W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	2,000
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	8.2A （Ta）， 20A （Tc）