【晶体管 - FET，MOSFET - 单_SUD50N03-06AP-E3】封装/厂家_SUD50N03-06AP-E3中文资料_价格

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型号： SUD50N03-06AP-E3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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SUD50N03-06AP-E3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SUD50N03-06AP-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD50N03-06AP-E3价格参考。VishaySUD50N03-06AP-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 10W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）。您可以下载SUD50N03-06AP-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD50N03-06AP-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 90A TO252MOSFET 30V 90A 83W
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	30 A
Id-连续漏极电流	30 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD50N03-06AP-E3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SUD50N03-06AP-E3SUD50N03-06AP-E3
Pd-PowerDissipation	10 W
Pd-功率耗散	10 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	5.7 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	5.7 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	10 ns, 230 ns
下降时间	8 ns, 9 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3800pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	95nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	5.7 毫欧 @ 20A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-252，（D-Pak）
其它名称	SUD50N03-06AP-E3DKR
典型关闭延迟时间	30 ns, 25 ns
功率-最大值	83W
包装	Digi-Reel®
商标	Vishay / Siliconix
商标名	TrenchFET
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	90A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single

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