ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SUD45P03-15-E3
Datasheet下载- 型号： SUD45P03-15-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD45P03-15-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD45P03-15-E3价格参考。VishaySUD45P03-15-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 4W（Ta），70W（Tc） TO-252，（D-Pak）。您可以下载SUD45P03-15-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD45P03-15-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SUD45P03-15-E3是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要应用于需要高效开关和低导通电阻（Rds(on)）的电路中。该器件具有以下特点： 1. 低导通电阻：在Vgs=10V时，最大导通电阻为4.5mΩ，这使得它非常适合用于高电流应用，如电源管理、电机驱动和DC-DC转换器等场合。 2. 高击穿电压：该MOSFET的最大漏源极击穿电压（BVDSS）为30V，适用于工作电压不超过此范围的应用，例如汽车电子系统中的负载切换或电池供电设备中的电源路径控制。 3. 快速开关特性：由于其较低的栅极电荷（Qg），SUD45P03-15-E3能够实现快速开关，从而减少开关损耗并提高效率，适合高频开关电源和逆变器等应用场景。 4. 紧凑封装：采用TO-263-3（DPAK）封装形式，这种表面贴装封装有助于简化PCB布局，并且便于自动化生产线上进行焊接操作。 5. 温度范围宽广：工作结温范围从-55°C到+175°C，确保了在极端环境条件下的稳定性和可靠性，可用于工业控制、通信基础设施以及消费类电子产品等领域。 综上所述，SUD45P03-15-E3广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在那些对效率、性能和可靠性要求较高的领域，如笔记本电脑适配器、服务器电源、电动工具、LED照明驱动器以及其他便携式电子装置。此外，在电动汽车充电桩和太阳能微逆变器等新能源相关产品中也有所应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V TO252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SUD45P03-15-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 125nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 13A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 功率-最大值 | 4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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