ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SUD08P06-155L-GE3
Datasheet下载- 型号： SUD08P06-155L-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD08P06-155L-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD08P06-155L-GE3价格参考。VishaySUD08P06-155L-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 8.4A（Tc） 1.7W（Ta），20.8W（Tc） TO-252。您可以下载SUD08P06-155L-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD08P06-155L-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SUD08P06-155L-GE3是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：该器件适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等开关电源设计。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于提高效率，减少能量损耗。 - 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制电路，确保电池在安全范围内工作，防止过充或过放。 2. 电机驱动 - 直流电机控制：在电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）中，SUD08P06-155L-GE3可用于驱动小型直流电机，提供高效的开关控制。 - 步进电机和伺服电机：在工业自动化领域，该MOSFET可以用于驱动步进电机或伺服电机，实现精确的位置控制。 3. 负载切换 - 负载开关：在消费电子产品（如智能手机、平板电脑）中，该器件可用作负载开关，控制不同模块的供电状态，延长电池寿命。 - 保护电路：在汽车电子系统中，该MOSFET可用于过流保护、短路保护等，确保系统的稳定性和安全性。 4. 逆变器和变频器 - 光伏逆变器：在太阳能发电系统中，SUD08P06-155L-GE3可用于逆变器电路，将直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。 - 变频器：在空调、冰箱等家电中，该MOSFET可用于变频器电路，调节压缩机的工作频率，实现节能和降噪。 5. 通信设备 - 基站和路由器：在通信设备中，该器件可用于电源管理和信号处理电路，确保设备在高效状态下运行。 - 服务器和数据中心：用于服务器的电源模块中，提供稳定的电源供应，支持高性能计算需求。 总之，SUD08P06-155L-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 450 pF |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAKMOSFET -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 8.4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 8.4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD08P06-155L-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUD08P06-155L-GE3SUD08P06-155L-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 20.8 W |
| Pd-功率耗散 | 20.8 W |
| Qg-GateCharge | 12.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 155 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 155 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 155 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 其它名称 | SUD08P06-155L-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.4A （Tc） |
| 系列 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
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