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STY130NF20D产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STY130NF20D由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STY130NF20D价格参考。STMicroelectronicsSTY130NF20D封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 130A(Tc) 450W(Tc) MAX247™。您可以下载STY130NF20D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STY130NF20D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STY130NF20D 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: ### 1. **电源管理** STY130NF20D 常用于各种电源管理系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池充电器。它能够高效地控制电流的通断,提供低导通电阻(Rds(on)),从而减少能量损耗,提高电源转换效率。此外,该器件具有较低的栅极电荷(Qg),使得开关速度更快,适合高频应用。 ### 2. **电机驱动** 在电机驱动应用中,STY130NF20D 可以作为逆变器或斩波器的关键组件,用于控制电机的速度和方向。它能够承受较高的电流和电压波动,确保电机运行的稳定性和可靠性。特别是在小型直流电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)中,STY130NF20D 的快速响应和低损耗特性使其成为理想选择。 ### 3. **工业自动化** 在工业自动化领域,STY130NF20D 广泛应用于可编程逻辑控制器(PLC)、伺服控制系统和机器人等设备中。它能够处理复杂的信号处理任务,支持高精度的电流控制和快速的动态响应,从而提升系统的整体性能。此外,该器件还具备良好的热稳定性,能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。 ### 4. **消费电子** STY130NF20D 在消费电子产品中也有广泛应用,如笔记本电脑适配器、智能手机充电器和智能家居设备等。它不仅能够提供高效的电力传输,还能有效降低发热,延长产品的使用寿命。同时,其紧凑的封装设计也使得它非常适合用于对空间要求严格的便携式设备。 ### 5. **汽车电子** 在汽车电子系统中,STY130NF20D 可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、电动刹车系统(EBS)等关键部件。它能够承受汽车环境中的高温、振动和电磁干扰,确保系统的可靠性和安全性。此外,该器件还符合汽车行业严格的认证标准,如 AEC-Q101 等。 总之,STY130NF20D 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、工业自动化、消费电子和汽车电子等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 200V 130A MAX247MOSFET N-Ch 200V 0.01 Ohm 130A STripFET II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 130 A |
Id-连续漏极电流 | 130 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STY130NF20DSTripFET™ II |
数据手册 | |
产品型号 | STY130NF20D |
Pd-PowerDissipation | 450 W |
Pd-功率耗散 | 450 W |
Qg-GateCharge | 338 nC |
Qg-栅极电荷 | 338 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 218 ns |
下降时间 | 250 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 338nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 65A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | MAX-247 |
其它名称 | 497-11004-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1166/PF221929?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 283 ns |
功率-最大值 | 450W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | MAX247™ |
封装/箱体 | Max247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 130A (Tc) |
系列 | STY130NF20D |
配置 | Single |