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STY130NF20D产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STY130NF20D由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STY130NF20D价格参考。STMicroelectronicsSTY130NF20D封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 130A(Tc) 450W(Tc) MAX247™。您可以下载STY130NF20D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STY130NF20D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 200V 130A MAX247MOSFET N-Ch 200V 0.01 Ohm 130A STripFET II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 130 A |
Id-连续漏极电流 | 130 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STY130NF20DSTripFET™ II |
数据手册 | |
产品型号 | STY130NF20D |
Pd-PowerDissipation | 450 W |
Pd-功率耗散 | 450 W |
Qg-GateCharge | 338 nC |
Qg-栅极电荷 | 338 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 218 ns |
下降时间 | 250 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 338nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 65A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | MAX-247 |
其它名称 | 497-11004-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1166/PF221929?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 283 ns |
功率-最大值 | 450W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | MAX247™ |
封装/箱体 | Max247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 130A (Tc) |
系列 | STY130NF20D |
配置 | Single |