【晶体管 - FET，MOSFET - 单_STY112N65M5】封装/厂家_STY112N65M5中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STY112N65M5

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： STY112N65M5
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

STY112N65M5产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STY112N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STY112N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTY112N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 650V 96A（Tc） 625W（Tc） MAX247™。您可以下载STY112N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STY112N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 650V 93A MAX247MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	96 A
Id-连续漏极电流	96 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STY112N65M5MDmesh™ V
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STY112N65M5
Pd-PowerDissipation	625 W
Pd-功率耗散	625 W
Qg-GateCharge	350 nC
Qg-栅极电荷	350 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	19 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	19 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	710 V
Vds-漏源极击穿电压	710 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	16870pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	350nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	22 毫欧 @ 47A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	MAX-247
其它名称	497-11236-5
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF221204?referrer=70071840
功率-最大值	625W
包装	管件
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	MAX247™
封装/箱体	Max247-3
工厂包装数量	30
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	30
漏源极电压(Vdss)	650V
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/st/mdmeshv.html
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	96A （Tc）
系列	STY112N65M5
配置	Single