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Datasheet下载- 型号： STW70N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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STW70N60M2产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW70N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW70N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTW70N60M2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 68A（Tc） 450W（Tc） TO-247。您可以下载STW70N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW70N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW70N60M2是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有广泛的应用场景，尤其适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电力转换与控制场合。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理：STW70N60M2常用于开关电源（SMPS）的设计中，包括AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（600V）使其能够有效减少功率损耗，提高转换效率，特别适合于工业电源、通信电源以及消费类电子产品的电源模块。 2. 电机驱动：在电机控制系统中，如无刷直流电机（BLDC）、步进电机等，STW70N60M2可以作为主开关器件，实现对电机电流的精确控制。其快速开关特性和低损耗特性有助于提升电机的响应速度和运行效率，降低发热，延长使用寿命。 3. 太阳能逆变器：在光伏系统中，STW70N60M2可用于逆变器电路，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电并接入电网。其出色的耐压能力和高效的开关性能确保了逆变器在恶劣环境下的稳定工作，提高了系统的整体可靠性。 4. 电动车辆（EV/HEV）：对于电动汽车和混合动力汽车，STW70N60M2可以应用于车载充电器、DC-DC变换器以及牵引逆变器等关键部件。它能够在高温环境下保持良好的电气性能，支持更高的功率密度和更长的续航里程。 5. 工业自动化：在工业控制领域，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等设备中，STW70N60M2能够提供可靠的开关功能，满足不同负载需求，并且具备较强的抗干扰能力，保障系统的稳定运行。 总之，STW70N60M2凭借其优异的电气参数和稳定性，成为众多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 68A TO247MOSFET N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 68 A |
| Id-连续漏极电流 | 68 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW70N60M2MDmesh™ II Plus |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW70N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 450 W |
| Pd-功率耗散 | 450 W |
| Qg-GateCharge | 118 nC |
| Qg-栅极电荷 | 118 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5200pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 118nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 34A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-14226-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 155 ns |
| 功率-最大值 | 450W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 30 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 68 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 68A （Tc） |
| 系列 | STW70N60M2 |
| 配置 | Single |
