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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW6N120K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW6N120K3价格参考。STMicroelectronicsSTW6N120K3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STW6N120K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW6N120K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STW6N120K3是一款N沟道MOSFET晶体管,其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS): STW6N120K3适用于各种开关电源设计,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器和充电器。其高耐压(1200V)和低导通电阻特性使其适合高压环境下的高效能量转换。 2. 电机驱动: 该MOSFET可用于工业控制和家用电器中的电机驱动电路,如风扇、泵或小型电动工具。其快速开关能力和良好的热性能确保了稳定运行。 3. 逆变器: 在光伏逆变器和其他类型的电力逆变器中,STW6N120K3可以作为关键功率开关元件,用于将直流电转换为交流电。 4. 电磁阀和继电器驱动: 由于其能够承受较高的电压和电流,这款MOSFET非常适合用于驱动电磁阀、继电器等需要大功率切换的设备。 5. 电动汽车和混合动力汽车(EV/HEV): 在车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及辅助系统中,STW6N120K3可以提供可靠的功率控制。 6. 不间断电源(UPS): 在UPS系统中,该器件可帮助实现高效的电池充放电管理及输出电压调节。 7. 固态继电器(SSR): 利用其快速响应时间和无机械触点的优势,STW6N120K3可用于构建高性能固态继电器。 8. 负载开关和保护电路: 它还可以用作负载开关或过流保护电路中的核心组件,以确保系统的安全性和可靠性。 总之,STW6N120K3凭借其出色的电气特性和耐用性,广泛应用于需要高电压、高效率和快速开关能力的各种电子设备和系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247MOSFET N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
Id-连续漏极电流 | 6 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW6N120K3SuperMESH3™ |
数据手册 | |
产品型号 | STW6N120K3 |
Pd-PowerDissipation | 150 W |
Pd-功率耗散 | 150 W |
Qg-GateCharge | 34 nC |
Qg-栅极电荷 | 34 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 32 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1050pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 欧姆 @ 2.5A,10V |
产品种类 | Power MOSFET Transistors |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | 497-12124 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF243175?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 58 ns |
功率-最大值 | 150W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |
系列 | STW6N120K3 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |