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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 650V TO-247MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 46 A |
Id-连续漏极电流 | 46 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW62N65M5MDmesh™ V |
数据手册 | |
产品型号 | STW62N65M5 |
Pd-PowerDissipation | 330 W |
Pd-功率耗散 | 330 W |
Qg-GateCharge | 142 nC |
Qg-栅极电荷 | 142 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 41 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 41 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 710 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 710 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 11 ns |
下降时间 | 14 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6420pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 142nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 49 毫欧 @ 23A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | 497-13890-5 |
典型关闭延迟时间 | 8 ns |
功率-最大值 | 330W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 46A (Tc) |
系列 | STW62N65M5 |
配置 | Single |