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  • 型号: STW62N65M5
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW62N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW62N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTW62N65M5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STW62N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW62N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 650V TO-247MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

46 A

Id-连续漏极电流

46 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW62N65M5MDmesh™ V

数据手册

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产品型号

STW62N65M5

Pd-PowerDissipation

330 W

Pd-功率耗散

330 W

Qg-GateCharge

142 nC

Qg-栅极电荷

142 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

41 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

41 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

710 V

Vds-漏源极击穿电压

710 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

11 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6420pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

142nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

49 毫欧 @ 23A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247

其它名称

497-13890-5

典型关闭延迟时间

8 ns

功率-最大值

330W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

46A (Tc)

系列

STW62N65M5

配置

Single

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