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  • 型号: STW4N150
  • 制造商: STMicroelectronics
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STW4N150产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW4N150由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW4N150价格参考。STMicroelectronicsSTW4N150封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1500V 4A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3。您可以下载STW4N150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW4N150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STW4N150是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于FET类别的功率器件。它具有高电压和低导通电阻的特点,适用于多种电力电子应用场景。

主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):
   STW4N150可以用于开关电源中的高频开关,实现高效的DC-DC转换。其高击穿电压(150V)使其能够承受较高的输入电压,适用于工业级或汽车级的电源管理应用。在这些系统中,MOSFET作为主开关元件,通过快速开关动作来调节输出电压,确保系统的稳定性和效率。

2. 电机驱动:
   该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功耗,提高电机驱动电路的效率。此外,STW4N150的快速开关特性使得它可以精确控制电机的速度和位置,适用于家电、电动工具和自动化设备等领域。

3. 电池管理系统(BMS):
   在电池管理系统中,STW4N150可以用作充电和放电路径的开关。它能够有效隔离电池与负载或充电器,防止过充、过放和其他异常情况。同时,其低导通电阻有助于降低电池管理系统的功耗,延长电池寿命。

4. 逆变器和变频器:
   STW4N150适合用于逆变器和变频器中的功率级电路。它可以将直流电转换为交流电,或者调整交流电的频率和幅度。这种应用常见于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及工业自动化设备中,帮助实现高效的能量转换和控制。

5. 保护电路:
   该MOSFET还可以用于过流保护、短路保护等保护电路中。通过检测电流并迅速切断电路,它可以有效防止系统因过载或短路而损坏,提供可靠的安全保障。

总之,STW4N150凭借其高性能参数和广泛的应用范围,成为电力电子设计中的重要选择,适用于各种需要高效功率转换和控制的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247MOSFET N-channel 1500 V PowerMesh

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW4N150PowerMESH™

数据手册

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产品型号

STW4N150

Pd-PowerDissipation

160 W

Pd-功率耗散

160 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

7 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

7 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1.5 kV

Vds-漏源极击穿电压

1.5 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

30 ns

下降时间

45 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 欧姆 @ 2A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

497-5092-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF83594?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

160W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

3.5 S

漏源极电压(Vdss)

1500V(1.5kV)

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/MOSFET.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A (Tc)

系列

STW4N150

通道模式

Enhancement

配置

Single

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