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STW3N150产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW3N150由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW3N150价格参考¥17.52-¥21.05。STMicroelectronicsSTW3N150封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1500V 2.5A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3。您可以下载STW3N150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW3N150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STW3N150 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款 N 沟道功率 MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点。它广泛应用于多种电力电子设备中,特别是在需要高效能、高可靠性的场景下表现优异。 1. 电源管理 STW3N150 常用于开关电源(SMPS)设计中,作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高电源转换效率。适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、适配器、充电器等设备,能够有效降低发热,提升系统性能。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,STW3N150 可以用作逆变器或斩波器中的开关元件。它能够快速响应电流变化,确保电机运行平稳,并且可以承受较大的电流波动。适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等的驱动电路,尤其适合小型家电、电动工具等场合。 3. 电池管理系统 STW3N150 在电池管理系统(BMS)中也有广泛应用,主要用于电池充放电控制和保护电路。它可以实现对电池组的精确管理和保护,防止过充、过放、短路等问题,延长电池寿命。特别适用于电动汽车、储能系统、便携式电子设备等需要高效电池管理的场景。 4. 工业自动化 在工业自动化领域,STW3N150 可用于各种控制电路中,如可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口、执行器驱动等。其高可靠性和快速开关特性使其能够在复杂的工业环境中稳定工作,满足不同工况下的需求。 5. 消费电子产品 该器件还广泛应用于消费电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑、智能手机的充电模块,以及家用电器中的电源管理部分。它能够提供高效的电源转换,确保设备在使用过程中保持稳定的供电。 总之,STW3N150 凭借其出色的电气性能和可靠性,在多个领域有着广泛的应用前景,特别是在对能效和可靠性要求较高的场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW3N150PowerMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STW3N150 |
Pd-PowerDissipation | 140 W |
Pd-功率耗散 | 140 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.5 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 47 ns |
下降时间 | 61 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 939pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 欧姆 @ 1.3A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | 497-6332-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF164189?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 45 ns |
功率-最大值 | 140W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 50 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 1500V(1.5kV) |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/MOSFET.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Tc) |
系列 | STW3N150 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |