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STW34NM60ND产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW34NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW34NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTW34NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 29A(Tc) 190W(Tc) TO-247。您可以下载STW34NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW34NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STW34NM60ND是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用领域: 1. 电源管理 STW34NM60ND广泛应用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。它能够高效地进行电流切换,减少功率损耗,提升电源转换效率。该器件的低导通电阻(Rds(on))使其在高电流条件下表现出色,适合用于笔记本电脑、手机充电器等便携式设备的电源设计。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,STW34NM60ND可以作为功率级的一部分,用于控制电机的启动、停止和调速。它适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等驱动电路,能够提供快速响应和精确控制。此外,该MOSFET的高耐压特性(60V)使其能够在较高电压下稳定工作,适用于工业自动化、家用电器等领域。 3. 电池管理系统(BMS) STW34NM60ND可用于电池管理系统的充放电控制电路中,确保电池的安全性和可靠性。它可以在电池过充、过放、短路等异常情况下迅速切断电流路径,保护电池免受损坏。该器件的低功耗特性也有助于延长电池的使用寿命,特别适用于电动汽车、储能系统等大容量电池的应用场景。 4. 负载开关 在负载开关应用中,STW34NM60ND可以作为主控开关,用于控制电路的通断状态。它具有快速开关特性和低导通损耗,能够在短时间内完成电流切换,适用于需要频繁启停的设备,如智能手机、平板电脑等消费电子产品。 5. LED照明 STW34NM60ND也可用于LED驱动电路中,通过调节电流来控制LED的亮度和颜色。其高效率和低发热特性使得它在LED照明系统中表现出色,尤其适用于户外照明、汽车灯具等对散热要求较高的场合。 总之,STW34NM60ND凭借其优异的性能和广泛的适用性,在电源管理、电机驱动、电池管理、负载开关和LED照明等多个领域有着重要的应用价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 29A TO-247MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
Id-连续漏极电流 | 29 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW34NM60NDFDmesh™ II |
数据手册 | |
产品型号 | STW34NM60ND |
Pd-PowerDissipation | 190 W |
Pd-功率耗散 | 190 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2785pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 110 毫欧 @ 14.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | 497-11366-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251165?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 210W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 29A (Tc) |
系列 | STW34NM60ND |
配置 | Single |