图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: STW34NM60ND
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

STW34NM60ND产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW34NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW34NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTW34NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 29A(Tc) 190W(Tc) TO-247。您可以下载STW34NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW34NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STW34NM60ND是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用领域:

 1. 电源管理
   STW34NM60ND广泛应用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。它能够高效地进行电流切换,减少功率损耗,提升电源转换效率。该器件的低导通电阻(Rds(on))使其在高电流条件下表现出色,适合用于笔记本电脑、手机充电器等便携式设备的电源设计。

 2. 电机驱动
   在电机驱动应用中,STW34NM60ND可以作为功率级的一部分,用于控制电机的启动、停止和调速。它适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等驱动电路,能够提供快速响应和精确控制。此外,该MOSFET的高耐压特性(60V)使其能够在较高电压下稳定工作,适用于工业自动化、家用电器等领域。

 3. 电池管理系统(BMS)
   STW34NM60ND可用于电池管理系统的充放电控制电路中,确保电池的安全性和可靠性。它可以在电池过充、过放、短路等异常情况下迅速切断电流路径,保护电池免受损坏。该器件的低功耗特性也有助于延长电池的使用寿命,特别适用于电动汽车、储能系统等大容量电池的应用场景。

 4. 负载开关
   在负载开关应用中,STW34NM60ND可以作为主控开关,用于控制电路的通断状态。它具有快速开关特性和低导通损耗,能够在短时间内完成电流切换,适用于需要频繁启停的设备,如智能手机、平板电脑等消费电子产品。

 5. LED照明
   STW34NM60ND也可用于LED驱动电路中,通过调节电流来控制LED的亮度和颜色。其高效率和低发热特性使得它在LED照明系统中表现出色,尤其适用于户外照明、汽车灯具等对散热要求较高的场合。

总之,STW34NM60ND凭借其优异的性能和广泛的适用性,在电源管理、电机驱动、电池管理、负载开关和LED照明等多个领域有着重要的应用价值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 29A TO-247MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

29 A

Id-连续漏极电流

29 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW34NM60NDFDmesh™ II

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STW34NM60ND

Pd-PowerDissipation

190 W

Pd-功率耗散

190 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

110 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

110 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2785pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

80.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

110 毫欧 @ 14.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247

其它名称

497-11366-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251165?referrer=70071840

功率-最大值

210W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

29A (Tc)

系列

STW34NM60ND

配置

Single

推荐商品

型号:SIHP25N40D-E3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF520NPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IPU60R950C6BKMA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STL17N65M5

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IXTT24P20

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STD90N03L-1

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:DMP210DUFB4-7B

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AUIRFR5410

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
STW34NM60ND 相关产品

BSP318S E6327

品牌:Infineon Technologies

价格:

SUM110N04-05H-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

PMV56XN,215

品牌:NXP USA Inc.

价格:

AUIRF2804S-7P

品牌:Infineon Technologies

价格:¥13.32-¥13.32

FQU20N06TU

品牌:ON Semiconductor

价格:

SI7116DN-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRL5602STRRPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

AON6482

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格: