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  • 型号: STW30NM50N
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW30NM50N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW30NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTW30NM50N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STW30NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW30NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 500V 27A TO-247MOSFET N-Ch 500 Volt 27 Amp Power MDmesh

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

27 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW30NM50NMDmesh™ II

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产品型号

STW30NM50N

Pd-PowerDissipation

190 W

Pd-功率耗散

190 W

RdsOn-漏源导通电阻

90 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

20 ns

下降时间

60 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2740pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

94nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

115 毫欧 @ 13.5A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

497-8795-5

典型关闭延迟时间

115 ns

功率-最大值

190W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

90 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

600

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

23 S

汲极/源极击穿电压

500 V

漏极连续电流

27 A

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

27A (Tc)

系列

STW30NM50N

通道模式

Enhancement

配置

Single

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