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型号： STW28N60M2
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STW28N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW28N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTW28N60M2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 600V 24A（Tc） 170W（Tc） TO-247。您可以下载STW28N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW28N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STW28N60M2是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于功率MOSFET类别，主要用于高压和高功率应用。该器件具有600V的击穿电压（BVdss），适用于需要高耐压的场合。其应用场景广泛，尤其适合于工业、汽车、消费电子等领域的电源管理和电机控制。

 应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：
   STW28N60M2常用于开关电源的设计中，作为主开关管或同步整流器。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高电源转换效率。此外，它还适用于反激式、正激式、LLC谐振等多种拓扑结构。

2. 电机驱动与控制：
   在电机驱动电路中，STW28N60M2可以用于逆变器和斩波器，实现对直流电机、步进电机或无刷直流电机的高效控制。其快速开关特性能够降低开关损耗，提高系统的响应速度和稳定性。

3. 不间断电源（UPS）：
   该MOSFET可用于UPS中的电池充电电路和逆变电路，确保在市电中断时能迅速切换到电池供电模式，提供稳定的输出电压。

4. 太阳能逆变器：
   在光伏系统中，STW28N60M2可用于DC-AC逆变器，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电并接入电网。其高耐压特性和低损耗特性有助于提高逆变器的效率和可靠性。

5. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：
   在电动汽车和混合动力汽车的动力总成系统中，STW28N60M2可用于车载充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器等关键部件，支持高效的电力传输和能量回收。

6. 工业自动化：
   该器件也适用于工业自动化设备中的各种电源模块和驱动电路，如PLC、伺服驱动器等，确保设备在恶劣环境下的稳定运行。

总之，STW28N60M2凭借其出色的电气性能和可靠性，成为多种高功率、高电压应用场景的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 600V 24A TO-247MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh II
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	24 A
Id-连续漏极电流	24 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW28N60M2MDmesh™ II Plus
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STW28N60M2
Pd-PowerDissipation	190 W
Pd-功率耗散	190 W
Qg-GateCharge	37 nC
Qg-栅极电荷	37 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	120 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	120 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1370pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	37nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	150 毫欧 @ 12A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-247
其它名称	497-14292-5 STW28N60M2-ND
功率-最大值	190W
包装	管件
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	30
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	30
漏源极电压(Vdss)	600V
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	24A （Tc）
系列	STW28N60M2
配置	Single