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Datasheet下载- 型号： STW26NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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STW26NM60N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW26NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW26NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTW26NM60N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 140W（Tc） TO-247-3。您可以下载STW26NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW26NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的型号STW26NM60N是一款N沟道MOSFET晶体管，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： STW26NM60N具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力（600V），非常适合用于开关电源中的功率开关器件，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。它能够高效地处理高压输入，并在高频开关条件下保持较低的功耗。 2. 电机驱动与控制： 该MOSFET适用于工业和消费类电机驱动应用，例如家用电器（如风扇、洗衣机）或工业设备中的无刷直流电机（BLDC）控制。其高电压和大电流特性使其能够可靠地控制电机的运行。 3. 逆变器与太阳能系统： 在太阳能逆变器中，STW26NM60N可以作为功率开关使用，用于将直流电转换为交流电。其高击穿电压和良好的热性能有助于提高系统的效率和可靠性。 4. 电磁阀和继电器驱动： 该器件可用来驱动高电压负载，如电磁阀、继电器和其他需要高压开关的应用场景。其快速开关能力和低损耗特性使其成为理想选择。 5. PFC（功率因数校正）电路： 在功率因数校正电路中，STW26NM60N可以用作主开关器件，以提高电源的整体效率并满足严格的能效标准。 6. 保护电路： 它可用于过流保护、短路保护或负载开关等应用，确保电路在异常情况下不会受到损害。 总结来说，STW26NM60N因其高耐压、低导通电阻和优良的开关性能，广泛应用于各种高压功率电子领域，包括电源管理、电机控制、逆变器以及保护电路等。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW26NM60NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW26NM60N |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 135 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 135 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 165 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-9066-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF223487?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/Q7096718/497-8013-KIT-ND/3479579 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 系列 | STW26NM60N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
