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型号： STW24NM65N
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STW24NM65N产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STW24NM65N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW24NM65N价格参考。STMicroelectronicsSTW24NM65N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 650V 19A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3。您可以下载STW24NM65N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW24NM65N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 650V 19A TO-247
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	STMicroelectronics
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	STW24NM65N
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2500pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	70nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	190 毫欧 @ 9.5A，10V
供应商器件封装	TO-247-3
其它名称	497-7035-5
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF209368?referrer=70071840
功率-最大值	160W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-3
标准包装	30
漏源极电压(Vdss)	650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	19A （Tc）