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  • 型号: STW21NM60ND
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW21NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW21NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTW21NM60ND封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STW21NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW21NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 17A TO-247MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

17 A

Id-连续漏极电流

17 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW21NM60NDFDmesh™ II

数据手册

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产品型号

STW21NM60ND

Pd-PowerDissipation

140 W

Pd-功率耗散

140 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

220 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

220 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

16 ns

下降时间

48 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1800pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

220 毫欧 @ 8.5A,10V

产品种类

Power MOSFET Transistors

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

497-8453-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF185443?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

70 ns

功率-最大值

140W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

220 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

17 A

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Tc)

系列

STW21NM60ND

通道模式

Enhancement

配置

Single

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