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  • 型号: STW20NM60FD
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW20NM60FD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW20NM60FD价格参考。STMicroelectronicsSTW20NM60FD封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 214W(Tc) TO-247-3。您可以下载STW20NM60FD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW20NM60FD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW20NM60FDFDmesh™

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产品型号

STW20NM60FD

Pd-PowerDissipation

214 W

Pd-功率耗散

214 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

290 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

290 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

12 ns

下降时间

22 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

37nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

290 毫欧 @ 10A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

497-5415-5
STW20NM60FD-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67519?referrer=70071840

功率-最大值

214W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

系列

STW20NM60FD

通道模式

Enhancement

配置

Single

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