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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW20NM60FD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW20NM60FD价格参考。STMicroelectronicsSTW20NM60FD封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 214W(Tc) TO-247-3。您可以下载STW20NM60FD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW20NM60FD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STW20NM60FD 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的功率MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体型号为N沟道增强型MOSFET。该器件具有低导通电阻和高击穿电压,广泛应用于多种电力电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): STW20NM60FD 适用于各种类型的开关电源设计,如反激式、正激式、LLC谐振等拓扑结构。其高耐压特性(600V)使其能够在高压输入条件下稳定工作,而低导通电阻则有助于提高转换效率,减少功率损耗。 2. 电机驱动: 在电动工具、家用电器及工业自动化设备中的电机控制系统里,这款MOSFET可以作为主开关或辅助开关使用。它能够快速响应电流变化,确保电机平稳运行,并且具备良好的热性能以应对长时间工作的发热问题。 3. 逆变器与太阳能系统: 对于光伏发电系统中的微型逆变器或其他小型逆变装置而言,STW20NM60FD 可用于实现高效的直流到交流转换。此外,在不间断电源(UPS)和其他需要能量存储和释放的应用中也有出色表现。 4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV): 随着新能源汽车产业的发展,该器件还被越来越多地应用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及电池管理系统(BMS)等关键部件中,为车辆提供可靠的电力支持。 5. 消费电子产品: 包括笔记本电脑适配器、智能手机快充头在内的许多便携式电子产品的电源管理部分也常常会用到此类高性能的MOSFET。 总之,STW20NM60FD 凭借其优异的技术参数和可靠性,在众多领域内都有广泛的应用前景,特别是在追求高效能、小体积和低成本的设计方案时显得尤为重要。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW20NM60FDFDmesh™ |
数据手册 | |
产品型号 | STW20NM60FD |
Pd-PowerDissipation | 214 W |
Pd-功率耗散 | 214 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 290 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 22 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 290 毫欧 @ 10A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | 497-5415-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67519?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 214W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |
系列 | STW20NM60FD |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |