ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STW20NM60FD
Datasheet下载- 型号： STW20NM60FD
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW20NM60FD由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW20NM60FD价格参考。STMicroelectronicsSTW20NM60FD封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 214W（Tc） TO-247-3。您可以下载STW20NM60FD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW20NM60FD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW20NM60FD是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有以下应用场景： 1. 电力电子设备：该MOSFET适用于各种电力转换和控制应用，例如开关电源、逆变器、不间断电源（UPS）等。其高耐压（600V）和低导通电阻特性使其能够在高压环境下高效工作，减少能量损耗。 2. 电机驱动与控制：在工业自动化和家用电器中，如空调、洗衣机、冰箱等，STW20NM60FD可以用于电机驱动电路。它能够快速响应并精确控制电流，确保电机平稳运行，同时提高系统的整体效率。 3. 电动汽车及充电桩：随着新能源汽车的发展，这款MOSFET也广泛应用于车载充电系统和直流充电桩中。它可以在大电流条件下保持较低的温升，保证长时间稳定工作，延长使用寿命。 4. LED照明驱动：对于大功率LED灯具，如路灯或商业照明，STW20NM60FD可作为关键组件来调节电流，确保灯光亮度一致且节能。此外，它还支持调光功能，满足不同场景下的需求。 5. 太阳能光伏系统：在光伏发电装置中，MOSFET是逆变器的核心元件之一。STW20NM60FD凭借其出色的电气性能，有助于提升逆变效率，将更多的太阳能转化为可用电力。 总之，STW20NM60FD凭借其卓越的电气参数和可靠性，在多个领域都有广泛的应用前景，尤其适合需要处理较高电压和电流的工作环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW20NM60FDFDmesh™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW20NM60FD |
| Pd-PowerDissipation | 214 W |
| Pd-功率耗散 | 214 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 290 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 290 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-5415-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67519?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 214W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 系列 | STW20NM60FD |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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