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  • 型号: STW12NK90Z
  • 制造商: STMicroelectronics
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STW12NK90Z产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW12NK90Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW12NK90Z价格参考¥22.70-¥24.06。STMicroelectronicsSTW12NK90Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3。您可以下载STW12NK90Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW12NK90Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STW12NK90Z是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效、低损耗开关性能的电路中。该器件具有90V的漏源极击穿电压(VDS),最大导通电阻为8.5mΩ(典型值),适用于多种工业和消费类电子设备。

 应用场景:

1. 电源管理:
   - STW12NK90Z常用于开关电源(SMPS)中的同步整流器,能够有效降低导通损耗,提高电源转换效率。
   - 在DC-DC转换器中,作为主开关或同步整流管,帮助实现高效的电压转换。

2. 电机驱动:
   - 适用于小型电机驱动器,如步进电机、无刷直流电机(BLDC)等,提供快速响应和低功耗的开关控制。
   - 在电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇等)中,该MOSFET可以用于电机的速度控制和方向切换。

3. 负载开关:
   - 在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,STW12NK90Z可用作负载开关,实现对不同模块的供电控制,减少待机功耗。
   - 在汽车电子系统中,用于控制各种传感器、执行器和其他负载的电源供应。

4. 电池管理系统(BMS):
   - 在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及储能系统中,该MOSFET可用于电池组的充放电保护电路,确保电池的安全运行。
   - 充电控制器中,作为主开关元件,实现精确的电流控制和过流保护。

5. 通信设备:
   - 在基站、路由器等通信设备中,STW12NK90Z可用于电源模块中的功率调节,确保稳定的电压输出,同时减少发热和能量损失。

6. LED驱动:
   - 在大功率LED照明系统中,作为调光控制器或恒流源的关键组件,确保LED灯的亮度稳定,并延长其使用寿命。

7. 工业自动化:
   - 在PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等工业控制系统中,该MOSFET可用于信号隔离和功率放大,确保系统的可靠性和稳定性。

总之,STW12NK90Z凭借其优异的电气特性,适用于多种需要高效、可靠开关操作的应用场合,特别是在电力电子领域表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 900V 11A TO-247MOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW12NK90ZSuperMESH™

数据手册

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产品型号

STW12NK90Z

Pd-PowerDissipation

230 W

Pd-功率耗散

230 W

Qg-GateCharge

113 nC

Qg-栅极电荷

113 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

880 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

880 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

900 V

Vds-漏源极击穿电压

900 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

20 ns

下降时间

55 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

152nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

880 毫欧 @ 5.5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

497-4421-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67502?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

88 ns

功率-最大值

230W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

600

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

900V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Tc)

系列

STW12NK90Z

通道模式

Enhancement

配置

Single

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