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详细数据请看参考数据手册

型号： STW12NK80Z
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STW12NK80Z由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW12NK80Z价格参考。STMicroelectronicsSTW12NK80Z封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 800V 10.5A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3。您可以下载STW12NK80Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW12NK80Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics（意法半导体）生产的STW12NK80Z是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于多种电力电子场景中。以下是其主要应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：  
   STW12NK80Z因其低导通电阻和高击穿电压（800V）的特点，非常适合用于开关电源的设计，例如AC-DC转换器、直流-直流转换器等。它能够高效地控制电流的开关状态，从而实现稳定的电压输出。

2. 电机驱动：  
   该MOSFET可用于驱动中小型电机，如家用电器中的风扇、水泵或小型工业设备中的电机。它的快速开关特性和耐高压能力确保了电机运行的稳定性和效率。

3. 逆变器：  
   在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，STW12NK80Z可以作为关键的功率开关元件，将直流电转换为交流电，满足家庭或工业用电需求。

4. 负载切换与保护电路：  
   它可用于设计负载切换电路，实现对电路的动态控制。同时，由于其高耐压特性，还可用于过流保护、短路保护等安全电路中。

5. 电池管理系统（BMS）：  
   在电池充电和放电管理中，这款MOSFET可以用作电池组的开关器件，确保电池充放电过程的安全性和效率。

6. 工业自动化设备：  
   该器件适用于各种工业自动化控制系统，如可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口电路等，提供可靠的功率控制功能。

总结来说，STW12NK80Z凭借其高耐压、低导通电阻和优秀的热性能，特别适合需要高效功率转换和控制的应用场景，是许多电力电子系统中的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-247MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	10.5 A
Id-连续漏极电流	10.5 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW12NK80ZSuperMESH™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STW12NK80Z
Pd-PowerDissipation	190 W
Pd-功率耗散	190 W
Qg-GateCharge	87 nC
Qg-栅极电荷	87 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	750 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	750 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	800 V
Vds-漏源极击穿电压	800 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	18 ns
下降时间	20 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2620pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	87nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	750 毫欧 @ 5.25A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-247-3
其它名称	497-3256-5
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67501?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	70 ns
功率-最大值	190W
包装	管件
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	30
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	30
正向跨导-最小值	12 S
漏源极电压(Vdss)	800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	10.5A （Tc）
系列	STW12NK80Z
通道模式	Enhancement
配置	Single