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  • 型号: STW11NM80
  • 制造商: STMicroelectronics
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STW11NM80产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW11NM80由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW11NM80价格参考。STMicroelectronicsSTW11NM80封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3。您可以下载STW11NM80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW11NM80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 11A TO-247MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW11NM80MDmesh™

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产品型号

STW11NM80

Pd-PowerDissipation

150 W

Pd-功率耗散

150 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

400 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

400 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

17 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1630pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

43.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

400 毫欧 @ 5.5A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

497-4420-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF69530?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

46 ns

功率-最大值

150W

包装

带卷 (TR)

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

8 S

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A(Tc)

系列

STW11NM80

通道模式

Enhancement

配置

Single

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