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型号： STV240N75F3
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STV240N75F3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STV240N75F3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STV240N75F3价格参考￥19.64-￥24.61。STMicroelectronicsSTV240N75F3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 75V 240A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO。您可以下载STV240N75F3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STV240N75F3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10MOSFET N-channel 75 V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	240 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STV240N75F3STripFET™ III
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STV240N75F3
Pd-PowerDissipation	300 W
Pd-功率耗散	300 W
RdsOn-漏源导通电阻	2.3 Ohms
Vds-漏源极击穿电压	75 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	70 ns
下降时间	15 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	6800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	100nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.6 毫欧 @ 120A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	10-PowerSO
其它名称	497-7029-6
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF209654?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	100 ns
功率-最大值	300W
包装	Digi-Reel®
商标	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	2.3 Ohms
封装	Reel
封装/外壳	PowerSO-10 裸露底部焊盘
封装/箱体	PowerSO-10
工厂包装数量	600
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	75 V
漏极连续电流	240 A
漏源极电压(Vdss)	75V
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/PowerSO.html
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	240A （Tc）
系列	STV240N75F3
通道模式	Enhancement
配置	Single