ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STU7N60M2
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STU7N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STU7N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTU7N60M2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 5A(Tc) 60W(Tc) I-PAK。您可以下载STU7N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STU7N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STU7N60M2是一款单个MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),具体属于增强型N沟道功率MOSFET。该器件具有出色的电气性能,适用于多种应用场景,尤其是在需要高效能、低损耗和高可靠性的电力电子系统中。 应用场景: 1. 开关电源(SMPS): STU7N60M2常用于开关模式电源的设计中,作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性有助于提高电源转换效率,减少能量损耗,特别适合于DC-DC转换器、AC-DC适配器等应用。 2. 电机驱动: 在电机控制领域,STU7N60M2可以用于驱动直流无刷电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电动机。其高击穿电压(Vds = 600V)使其能够承受电机启动和停止时产生的瞬态高压,确保系统的稳定性和安全性。 3. 逆变器和变频器: 该MOSFET可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及工业变频器中,用于实现高效的电能转换和调节。其优异的动态性能和热稳定性有助于提高设备的整体性能,延长使用寿命。 4. 电池管理系统(BMS): 在电动汽车(EV)和储能系统中,STU7N60M2可以用作电池保护电路中的开关元件,控制电池组的充放电过程,防止过充、过放和短路等问题,保障电池的安全运行。 5. 固态继电器(SSR): 由于其零电流开关特性和长寿命,STU7N60M2也适用于设计固态继电器,替代传统的机械继电器,提供更快速、更可靠的开关操作,广泛应用于家电、工业自动化等领域。 总之,STU7N60M2凭借其卓越的电气参数和可靠性,在众多电力电子应用中展现出色的表现,成为工程师们设计高性能电力系统时的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STU7N60M2 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ II Plus |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 271pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.8nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 950 毫欧 @ 2.5A, 10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | 497-13979-5 |
功率-最大值 | 60W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Tc) |