ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STU2N62K3
Datasheet下载- 型号： STU2N62K3
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STU2N62K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STU2N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTU2N62K3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 620V 2.2A（Tc） 45W（Tc） I-PAK。您可以下载STU2N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STU2N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的型号为STU2N62K3的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并且是单个器件。以下是该型号MOSFET的一些典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - STU2N62K3是一种N沟道增强型MOSFET，适合用作开关电源中的功率开关。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以有效降低功耗，提高效率。 - 常见应用包括DC-DC转换器、AC-DC适配器以及充电器。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，STU2N62K3可以用作电子开关，控制电机的启停、速度和方向。 - 其快速开关特性和低损耗使其非常适合高效电机控制。 3. 电池管理 - 用于锂离子电池或其他可充电电池的保护电路中，作为充放电路径的开关。 - 可以实现过流保护、短路保护等功能，确保电池安全运行。 4. 负载切换 - 在消费电子设备中，如智能手机、平板电脑等，STU2N62K3可用于负载切换，动态地接通或断开某些功能模块（例如显示屏、Wi-Fi模块等），以节省功耗。 5. LED驱动 - 在LED照明应用中，该MOSFET可用作恒流源的开关元件，调节LED亮度或实现调光功能。 - 其高频率工作能力使得PWM（脉宽调制）调光成为可能。 6. 信号放大与缓冲 - 在一些低功率信号处理场景下，STU2N62K3可以用作信号放大或缓冲的组件，尤其是在需要高速响应的应用中。 7. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，例如电动车窗、雨刷控制、座椅调节等，STU2N62K3可以用作驱动元件，提供可靠的开关性能。 - 其耐高温特性和稳定性也使其适用于恶劣的汽车环境。 总结 STU2N62K3凭借其优异的电气特性（如低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度等），广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于开关电源、电机驱动、电池管理、负载切换、LED驱动以及汽车电子等。这些应用场景充分利用了其高效、可靠和紧凑的设计特点。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAKMOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STU2N62K3SuperMESH3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STU2N62K3 |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 620 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 620 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 欧姆 @ 1.1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | 497-12360 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF248159?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Tc） |
| 系列 | STU2N62K3 |
| 配置 | Single |
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