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型号： STT5N2VH5
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STT5N2VH5产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STT5N2VH5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STT5N2VH5价格参考。STMicroelectronicsSTT5N2VH5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 20V 1.6W（Tc） SOT-23-6。您可以下载STT5N2VH5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STT5N2VH5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N CH 20V 5A SOT23-6MOSFET N-Ch 20V 0.025 Ohm 5 A STripFET(TM) V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	5 A
Id-连续漏极电流	5 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STT5N2VH5STripFET™ V
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STT5N2VH5
Pd-PowerDissipation	1.6 W
Pd-功率耗散	1.6 W
Qg-GateCharge	6 nC
Qg-栅极电荷	6 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	31 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	31 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	0.7 V
Vgsth-栅源极阈值电压	0.7 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	700mV @ 250µA （最小）
不同Vds时的输入电容(Ciss)	367pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	4.6nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	30 毫欧 @ 2A， 4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SOT-23-6
其它名称	497-13786-2
功率-最大值	1.6W
包装	带卷（TR）
商标	STMicroelectronics
商标名	STripFET
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	31 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	SOT-23-6
封装/箱体	SOT-23-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	3,000
汲极/源极击穿电压	20 V
漏极连续电流	5 A
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	-
系列	STT5N2VH5
通道模式	Enhancement
配置	Single