图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: STT13005D-K
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

STT13005D-K产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STT13005D-K由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STT13005D-K价格参考。STMicroelectronicsSTT13005D-K封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 2A 45W Through Hole SOT-32-3。您可以下载STT13005D-K参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STT13005D-K 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN FAST SW SOT-32两极晶体管 - BJT High Voltage NPN 700V VCES 400V VCEO

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

STMicroelectronics

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics STT13005D-K-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STT13005D-K

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 400mA,1.6A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

10 @ 500mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-32-3

其它名称

497-10970
STT13005DK

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC1229/PF175532?referrer=70071840

功率-最大值

45W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

9 V

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-225AA,TO-126-3

封装/箱体

SOT-32-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

45 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

4 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

400V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

250µA

直流电流增益hFE最大值

50

直流集电极/BaseGainhfeMin

8

系列

STT13005

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

400 V

集电极—射极饱和电压

1.5 V

集电极连续电流

2 A

频率-跃迁

-

STT13005D-K 相关产品

2N5578

品牌:Microsemi Corporation

价格:

ZTX949STOA

品牌:Diodes Incorporated

价格:

ZTX789ASTZ

品牌:Diodes Incorporated

价格:

BCX70G,215

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:

BD545-S

品牌:Bourns Inc.

价格:

FJP5200RTU

品牌:ON Semiconductor

价格:

ESM6045DV

品牌:STMicroelectronics

价格:

MPSA42RLRP

品牌:ON Semiconductor

价格: