ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STS5N15F4
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STS5N15F4产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STS5N15F4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STS5N15F4价格参考。STMicroelectronicsSTS5N15F4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 5A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO。您可以下载STS5N15F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STS5N15F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STS5N15F4是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 STS5N15F4常用于电源管理系统中,特别是在低压和高效能要求的场合。它具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流下保持较低的功耗,适用于开关电源、DC-DC转换器、线性稳压器等电路。该器件的低导通电阻有助于提高系统的整体效率,减少发热。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,STS5N15F4可以作为功率级的一部分,控制电机的启动、停止和调速。由于其快速的开关速度和低损耗特性,它特别适合于需要频繁启停或精确控制的电机系统,如家用电器中的风扇、水泵、电动工具等。 3. 负载开关 STS5N15F4可以用作负载开关,控制电路中不同部分的供电状态。通过控制栅极电压,可以实现对负载的快速接通或断开,广泛应用于消费电子设备、通信设备以及工业控制系统中。其低导通电阻确保了在大电流条件下仍能保持高效的能量传输。 4. 电池管理系统 在电池管理系统(BMS)中,STS5N15F4可用于保护电路,防止过流、短路等情况发生。它能够迅速响应异常情况并切断电流路径,从而保护电池和其他电路元件免受损坏。此外,其低漏电流特性也有助于延长电池寿命。 5. 汽车电子 在汽车电子领域,STS5N15F4可以用于车身控制模块、座椅调节、车窗升降等应用。它的耐高温性能和可靠性使其能够在恶劣的汽车环境中稳定工作,同时满足汽车电子对安全性和可靠性的严格要求。 总之,STS5N15F4凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率控制的场景,尤其是在对成本敏感且要求紧凑设计的应用中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 150V 5A 8SOMOSFET N-channel 150 V StripFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
Id-连续漏极电流 | 5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STS5N15F4DeepGATE™, STripFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | STS5N15F4 |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 57 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 57 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
上升时间 | 5.1 ns |
下降时间 | 11.4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2710pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 63 毫欧 @ 2.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | 497-10106-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF245038?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 39.7 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Tc) |
系列 | STS5N15F4 |
配置 | Single |