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STS4DNFS30产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STS4DNFS30由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STS4DNFS30价格参考。STMicroelectronicsSTS4DNFS30封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 4.5A(Tc) 2W(Tc) 8-SO。您可以下载STS4DNFS30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STS4DNFS30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 二极管(隔离式) |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STS4DNFS30 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | STripFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.7nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 2A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | 497-6187-2 |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A (Tc) |