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STQ2NK60ZR-AP产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STQ2NK60ZR-AP由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STQ2NK60ZR-AP价格参考。STMicroelectronicsSTQ2NK60ZR-AP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 400mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3。您可以下载STQ2NK60ZR-AP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STQ2NK60ZR-AP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STQ2NK60ZR-AP |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | SuperMESH™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 欧姆 @ 700mA,10V |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | 497-12345-3 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF78577?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 带盒(TB) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 400mA (Tc) |