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  • 型号: STQ2HNK60ZR-AP
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STQ2HNK60ZR-AP产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STQ2HNK60ZR-AP由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STQ2HNK60ZR-AP价格参考。STMicroelectronicsSTQ2HNK60ZR-AP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 500mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3。您可以下载STQ2HNK60ZR-AP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STQ2HNK60ZR-AP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STQ2HNK60ZR-AP

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

SuperMESH™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

280pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.8 欧姆 @ 1A,10V

供应商器件封装

TO-92

其它名称

497-12344-3
STQ2HNK60ZRAP

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF78576?referrer=70071840

功率-最大值

3W

包装

带盒(TB)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

标准包装

2,000

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

500mA (Tc)

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