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STQ1NK80ZR-AP产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STQ1NK80ZR-AP由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STQ1NK80ZR-AP价格参考。STMicroelectronicsSTQ1NK80ZR-AP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 300mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3。您可以下载STQ1NK80ZR-AP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STQ1NK80ZR-AP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STQ1NK80ZR-AP 是由 STMicroelectronics 生产的单通道 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号属于功率 MOSFET 类别,具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特性,适用于多种电力电子应用场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理: - 用于开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高效率。 - 在 DC-DC 转换器中用作高频开关元件,实现高效的电压转换。 2. 电机驱动: - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效且可靠的电流控制。 - 在电动工具、家用电器和工业自动化设备中作为电机控制器的核心组件。 3. 电池管理系统(BMS): - 用于电池充放电保护电路,确保电池在安全的工作范围内运行。 - 实现电池组的均衡管理,延长电池寿命并提高系统可靠性。 4. 负载开关: - 在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,用作负载开关,实现电源路径管理和热插拔保护。 - 提供快速的开关响应时间,减少瞬态电压对下游电路的影响。 5. 逆变器与太阳能系统: - 在光伏逆变器中作为功率级器件,将直流电转换为交流电,实现太阳能发电系统的高效能量转换。 - 用于分布式能源系统中的功率调节模块,优化能量传输和利用。 6. 汽车电子: - 在汽车电子控制系统中,如车身控制模块、发动机管理系统和电动助力转向系统中,提供稳定可靠的开关功能。 - 满足汽车级应用的严格要求,具备良好的抗干扰能力和环境适应性。 总之,STQ1NK80ZR-AP 凭借其优异的电气性能和可靠性,在各类电力电子设备中发挥着重要作用,广泛应用于消费电子、工业控制、通信基础设施以及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92MOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 300 mA |
Id-连续漏极电流 | 300 mA |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STQ1NK80ZR-APSuperMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STQ1NK80ZR-AP |
Pd-PowerDissipation | 3 W |
Pd-功率耗散 | 3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 16 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 30 ns |
下降时间 | 55 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16 欧姆 @ 500mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | 497-6197-1 |
典型关闭延迟时间 | 22 ns |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Ammo Pack |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 300mA (Tc) |
系列 | STQ1NK80ZR-AP |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |