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  • 型号: STQ1NK80ZR-AP
  • 制造商: STMicroelectronics
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STQ1NK80ZR-AP产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STQ1NK80ZR-AP由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STQ1NK80ZR-AP价格参考。STMicroelectronicsSTQ1NK80ZR-AP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 300mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3。您可以下载STQ1NK80ZR-AP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STQ1NK80ZR-AP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STQ1NK80ZR-AP 是由 STMicroelectronics 生产的单通道 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号属于功率 MOSFET 类别,具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特性,适用于多种电力电子应用场景。

主要应用场景包括:

1. 电源管理:
   - 用于开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高效率。
   - 在 DC-DC 转换器中用作高频开关元件,实现高效的电压转换。

2. 电机驱动:
   - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效且可靠的电流控制。
   - 在电动工具、家用电器和工业自动化设备中作为电机控制器的核心组件。

3. 电池管理系统(BMS):
   - 用于电池充放电保护电路,确保电池在安全的工作范围内运行。
   - 实现电池组的均衡管理,延长电池寿命并提高系统可靠性。

4. 负载开关:
   - 在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,用作负载开关,实现电源路径管理和热插拔保护。
   - 提供快速的开关响应时间,减少瞬态电压对下游电路的影响。

5. 逆变器与太阳能系统:
   - 在光伏逆变器中作为功率级器件,将直流电转换为交流电,实现太阳能发电系统的高效能量转换。
   - 用于分布式能源系统中的功率调节模块,优化能量传输和利用。

6. 汽车电子:
   - 在汽车电子控制系统中,如车身控制模块、发动机管理系统和电动助力转向系统中,提供稳定可靠的开关功能。
   - 满足汽车级应用的严格要求,具备良好的抗干扰能力和环境适应性。

总之,STQ1NK80ZR-AP 凭借其优异的电气性能和可靠性,在各类电力电子设备中发挥着重要作用,广泛应用于消费电子、工业控制、通信基础设施以及汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92MOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

300 mA

Id-连续漏极电流

300 mA

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STQ1NK80ZR-APSuperMESH™

数据手册

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产品型号

STQ1NK80ZR-AP

Pd-PowerDissipation

3 W

Pd-功率耗散

3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

16 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

16 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

30 ns

下降时间

55 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

160pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.7nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16 欧姆 @ 500mA,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

497-6197-1

典型关闭延迟时间

22 ns

功率-最大值

3W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Ammo Pack

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92-3

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

300mA (Tc)

系列

STQ1NK80ZR-AP

通道模式

Enhancement

配置

Single

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