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STQ1NK80ZR-AP产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STQ1NK80ZR-AP由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STQ1NK80ZR-AP价格参考。STMicroelectronicsSTQ1NK80ZR-AP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 300mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3。您可以下载STQ1NK80ZR-AP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STQ1NK80ZR-AP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STQ1NK80ZR-AP 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 STQ1NK80ZR-AP 广泛应用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等。由于其低导通电阻(Rds(on)),在大电流应用中可以显著降低功率损耗,提高效率。例如,在笔记本电脑适配器、手机充电器等设备中,该MOSFET能够有效减少发热,延长设备寿命。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中,STQ1NK80ZR-AP 可用于控制电机的启动、停止和调速。它能够快速响应控制信号,确保电机平稳运行。常见的应用场景包括电动工具、家用电器(如吸尘器、洗衣机)中的电机控制。 3. 电池管理系统(BMS) 在电池管理系统中,STQ1NK80ZR-AP 可用于保护电路,防止过充、过放和短路等问题。通过精确控制电流的通断,它可以确保电池的安全性和稳定性,广泛应用于电动汽车、便携式电子设备等领域。 4. 负载开关 作为负载开关,STQ1NK80ZR-AP 可以在需要时快速切断或接通负载电流,适用于消费电子设备、工业控制系统等场景。它的低导通电阻特性使得在高电流负载下仍能保持较低的功耗和温升。 5. 逆变器和UPS 在逆变器和不间断电源(UPS)系统中,STQ1NK80ZR-AP 可用于实现高效的能量转换和分配。它能够在高频开关状态下保持稳定的性能,确保输出电压的稳定性和可靠性。 6. 汽车电子 在汽车电子领域,STQ1NK80ZR-AP 可用于车身控制模块(BCM)、电动助力转向(EPS)、空调系统等。其耐高温、抗电磁干扰的特性使其特别适合恶劣的工作环境。 总之,STQ1NK80ZR-AP 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备中,尤其适合对效率和安全性要求较高的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92MOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 300 mA |
Id-连续漏极电流 | 300 mA |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STQ1NK80ZR-APSuperMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STQ1NK80ZR-AP |
Pd-PowerDissipation | 3 W |
Pd-功率耗散 | 3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 16 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 30 ns |
下降时间 | 55 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16 欧姆 @ 500mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | 497-6197-1 |
典型关闭延迟时间 | 22 ns |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Ammo Pack |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 300mA (Tc) |
系列 | STQ1NK80ZR-AP |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |