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Datasheet下载- 型号： STP8NK80Z
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP8NK80Z由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP8NK80Z价格参考￥5.90-￥5.90。STMicroelectronicsSTP8NK80Z封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 800V 6.2A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP8NK80Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP8NK80Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP8NK80Z 是由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电力电子设备和电路中。其主要应用场景包括但不限于以下几种： 1. 电源管理： - STP8NK80Z 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等电源管理系统中，作为功率开关元件。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高转换效率。 - 适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的充电器和适配器。 2. 电机驱动： - 在小型电机控制电路中，如步进电机、直流无刷电机（BLDC）等，STP8NK80Z 可用于实现高效的电机驱动和调速功能。 - 广泛应用于家用电器（如吸尘器、风扇、洗衣机）、电动工具、汽车电子（如电动车窗、雨刷系统）等领域。 3. 负载开关： - 作为负载开关，STP8NK80Z 可以快速响应并精确控制电流的通断，确保电路的安全性和稳定性。 - 适用于各种需要动态负载管理的场景，如电池管理系统（BMS）、智能传感器节点等。 4. 保护电路： - 在过流保护、短路保护等安全电路设计中，STP8NK80Z 的高击穿电压（Vds）和快速开关特性使其成为理想选择。 - 可用于防止电源或负载侧出现异常情况时对其他电路组件造成损害。 5. 音频放大器： - 在一些高效能的音频放大器设计中，MOSFET 可用于输出级，提供大电流驱动能力，同时保持较低的失真度。 - 适用于便携式音响设备、耳机放大器等产品。 总之，STP8NK80Z 凭借其优异的电气性能和可靠性，在众多电力电子应用中发挥着重要作用，特别适合于要求高效、紧凑且可靠的电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP8NK80ZSuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP8NK80Z |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 46 nC |
| Qg-栅极电荷 | 46 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1320pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 3.1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67422?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.438 g |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 5.2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Tc） |
| 系列 | STP8NK80Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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