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  • 型号: STP85NF55L
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP85NF55L由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP85NF55L价格参考。STMicroelectronicsSTP85NF55L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP85NF55L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP85NF55L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

80 A

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP85NF55LSTripFET™ II

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产品型号

STP85NF55L

Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 15 V

Vgs-栅源极击穿电压

15 V

上升时间

165 ns

下降时间

55 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4050pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 毫欧 @ 40A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-7532-5
STP85NF55L-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF64805?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

70 ns

功率-最大值

300W

包装

管件

单位重量

2.240 g

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

130 S

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

系列

STP85NF55L

通道模式

Enhancement

配置

Single

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