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Datasheet下载- 型号： STP80NF55-08
- 制造商： STMicroelectronics
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STP80NF55-08产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP80NF55-08由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP80NF55-08价格参考￥7.49-￥21.26。STMicroelectronicsSTP80NF55-08封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP80NF55-08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP80NF55-08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP80NF55-08是意法半导体（STMicroelectronics）生产的单个MOSFET晶体管，属于N沟道增强型功率MOSFET。其主要应用场景如下： 1. 电源管理：该型号适用于各种开关电源、DC-DC转换器和AC-DC适配器等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得在高电流应用中能有效降低功耗，提高效率。例如，在笔记本电脑充电器、LED驱动电源等领域有广泛应用。 2. 电机控制：可用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等的驱动电路中，作为功率级开关元件来实现对电机转速、方向等参数的精确控制。此外，在电动工具、家用电器如吸尘器、洗衣机等产品的电机控制系统中也十分常见。 3. 负载切换与保护：在汽车电子系统中，用于电池管理和负载切换，确保在异常情况下快速切断电流路径以保护电路免受损坏；也可应用于工业自动化设备中的过流保护、短路保护等功能模块。 4. 通信基础设施：在基站、服务器等大型通信设备中，负责信号放大、滤波及电压调节等任务，保证数据传输稳定性和可靠性。 5. 消费电子产品：如平板电脑、智能手机等便携式设备内部的电源管理单元，通过高效的开关操作延长电池续航时间。 总之，STP80NF55-08凭借其优异的电气性能，在众多领域发挥着重要作用，特别是在需要高效能、低损耗的电力转换和控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 过渡期间无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP80NF55-08STripFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP80NF55-08 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 85 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 155nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 40A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-3202-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF64799?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 40 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | STP80NF55-08 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
