ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STP80NF12
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STP80NF12产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP80NF12由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP80NF12价格参考。STMicroelectronicsSTP80NF12封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 120V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP80NF12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP80NF12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP80NF12 是 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有以下关键参数:耐压值为 120V,连续漏极电流为 80A(在特定条件下),导通电阻低至 6.5mΩ(典型值)。这些特性使其适用于多种高效率、大功率的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - STP80NF12 的高电流承载能力和低导通电阻使其非常适合用于开关电源中的功率开关。例如,在 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器和充电器中,它可以用作主开关或同步整流器件,提高转换效率并降低功耗。 2. 电机驱动 - 在电机控制领域,STP80NF12 可用于驱动直流无刷电机(BLDC)、步进电机或其他类型的电机。其低 Rds(on) 特性有助于减少电机运行时的热量损耗,同时支持更高的电流需求。 3. 逆变器 - 该 MOSFET 常用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和其他电力电子设备中,作为功率级开关元件。它可以实现高效的能量转换,并支持快速开关操作。 4. 负载开关 - 在需要频繁开启和关闭大电流负载的情况下,STP80NF12 可用作负载开关。它的低导通电阻可以减少电压降,从而提高系统效率。 5. 电池管理 - 在电池管理系统(BMS)中,STP80NF12 可以用作保护开关或充放电控制开关。它能够承受电池组的高电流输出,同时提供可靠的短路保护功能。 6. 汽车电子 - 在汽车应用中,STP80NF12 可用于启动电路、电动助力转向系统(EPS)、空调压缩机控制以及其他需要高功率切换的场合。 总结 STP80NF12 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子以及可再生能源领域。其低导通电阻和高电流处理能力是实现高效功率转换和控制的关键因素。选择此型号时,需确保工作条件(如温度、电压和电流)在其规格范围内,以保证长期稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 120V 80A TO-220MOSFET N-Ch 120 Volt 80 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
Id-连续漏极电流 | 80 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP80NF12STripFET™ II |
数据手册 | |
产品型号 | STP80NF12 |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 120 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 145 ns |
下降时间 | 115 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 189nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 40A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-6743-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF67417?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 134 ns |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.438 g |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 80 S |
漏源极电压(Vdss) | 120V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |
系列 | STP80NF12 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |