ICGOO在线商城 > STP7N52DK3
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STP7N52DK3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP7N52DK3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供STP7N52DK3价格参考以及STMicroelectronicsSTP7N52DK3封装/规格参数等产品信息。 你可以下载STP7N52DK3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有STP7N52DK3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 525V 6A TO-220MOSFET N-Ch 620V 0.98 ohm 6.2A SuperFREDmesh3 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP7N52DK3SuperFREDmesh3™ |
数据手册 | |
产品型号 | STP7N52DK3 |
Pd-PowerDissipation | 90 W |
Pd-功率耗散 | 90 W |
Qg-GateCharge | 34 nC |
Qg-栅极电荷 | 34 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.15 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.15 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 620 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 620 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
上升时间 | 33 ns |
下降时间 | 4.2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.15 欧姆 @ 3A,10V |
产品种类 | Power MOSFET Transistors |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-10714-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF221903?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
功率-最大值 | 90W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 1.5 V |
漏源极电压(Vdss) | 525V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |
系列 | STP7N52DK3 |
配置 | Single |