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  • 型号: STP75N75F4
  • 制造商: STMicroelectronics
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STP75N75F4产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP75N75F4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP75N75F4价格参考。STMicroelectronicsSTP75N75F4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 75V 78A(Tc) 150W(Tc) TO-220。您可以下载STP75N75F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP75N75F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STP75N75F4 是由 STMicroelectronics 生产的一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其主要应用场景如下:

 1. 电源管理
   STP75N75F4 常用于各种电源管理电路中,特别是在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。它能够高效地进行电流切换,减少功率损耗,适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等设备中的电源转换模块。

 2. 电机驱动
   该器件广泛应用于电机驱动电路中,尤其是无刷直流电机(BLDC)和步进电机的控制。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,可以有效降低发热,提高效率,适用于电动工具、家用电器(如洗衣机、空调等)以及工业自动化设备中的电机控制系统。

 3. 电池管理系统
   在电池管理系统(BMS)中,STP75N75F4 可以用于电池充放电保护电路。它能够快速响应过流、短路等异常情况,确保电池的安全运行。此外,它还适用于电动汽车、储能系统等大容量电池组的管理和保护。

 4. 通信设备
   该器件也常用于通信基站、服务器等高可靠性设备中的电源模块。其出色的热性能和电气特性使其能够在高温、高湿度等恶劣环境下稳定工作,确保通信系统的可靠性和稳定性。

 5. 消费电子
   在消费电子产品中,如平板电脑、智能音箱等,STP75N75F4 可用于音频放大器、背光驱动等电路中,提供高效且稳定的电流控制,提升产品的性能和用户体验。

 总结
STP75N75F4 具有低导通电阻、高耐压、快速开关等优点,适用于多种需要高效电流控制的应用场景,尤其在电源管理、电机驱动、电池保护等领域表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N CH 75V 78A TO-220MOSFET N-Ch 75V 0.0092 Ohm 78A STripFET DGATE

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

78 A

Id-连续漏极电流

78 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP75N75F4DeepGATE™, STripFET™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STP75N75F4

Pd-PowerDissipation

150 W

Pd-功率耗散

150 W

Qg-GateCharge

76 nC

Qg-栅极电荷

76 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

11 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

11 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

33 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5015pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

76nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11 毫欧 @ 39A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

497-13395-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF221914?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

61 ns

功率-最大值

150W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

78A (Tc)

系列

STP75N75F4

通道模式

Enhancement

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