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STP75N75F4产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP75N75F4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP75N75F4价格参考。STMicroelectronicsSTP75N75F4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 75V 78A(Tc) 150W(Tc) TO-220。您可以下载STP75N75F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP75N75F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP75N75F4 是由 STMicroelectronics 生产的一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其主要应用场景如下: 1. 电源管理 STP75N75F4 常用于各种电源管理电路中,特别是在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。它能够高效地进行电流切换,减少功率损耗,适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等设备中的电源转换模块。 2. 电机驱动 该器件广泛应用于电机驱动电路中,尤其是无刷直流电机(BLDC)和步进电机的控制。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,可以有效降低发热,提高效率,适用于电动工具、家用电器(如洗衣机、空调等)以及工业自动化设备中的电机控制系统。 3. 电池管理系统 在电池管理系统(BMS)中,STP75N75F4 可以用于电池充放电保护电路。它能够快速响应过流、短路等异常情况,确保电池的安全运行。此外,它还适用于电动汽车、储能系统等大容量电池组的管理和保护。 4. 通信设备 该器件也常用于通信基站、服务器等高可靠性设备中的电源模块。其出色的热性能和电气特性使其能够在高温、高湿度等恶劣环境下稳定工作,确保通信系统的可靠性和稳定性。 5. 消费电子 在消费电子产品中,如平板电脑、智能音箱等,STP75N75F4 可用于音频放大器、背光驱动等电路中,提供高效且稳定的电流控制,提升产品的性能和用户体验。 总结 STP75N75F4 具有低导通电阻、高耐压、快速开关等优点,适用于多种需要高效电流控制的应用场景,尤其在电源管理、电机驱动、电池保护等领域表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N CH 75V 78A TO-220MOSFET N-Ch 75V 0.0092 Ohm 78A STripFET DGATE |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 78 A |
Id-连续漏极电流 | 78 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP75N75F4DeepGATE™, STripFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | STP75N75F4 |
Pd-PowerDissipation | 150 W |
Pd-功率耗散 | 150 W |
Qg-GateCharge | 76 nC |
Qg-栅极电荷 | 76 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 33 ns |
下降时间 | 14 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5015pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 76nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 39A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | 497-13395-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF221914?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 61 ns |
功率-最大值 | 150W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 78A (Tc) |
系列 | STP75N75F4 |
通道模式 | Enhancement |